前言

就目前的认知看来，好像半导体器件的所有问题都在于——“在给定外场下，它在相应电压下产生电流的规律是什么样的？”

I=qvsn，那么研究半导体的主要问题，就是研究不同空间位置载流子浓度的问题，以及载流子运动规律的问题。

那么就分成本征半导体，掺杂半导体，PN结，MOS管几个部分把之前没推的公式跟着这本《半导体器件物理》推一推吧，企图通过这些奇奇怪怪的物理模型定量描述下。

从哪里开始呢？第一个公式，就暂且默认它是对的吧，绿色标记，等以后有了更新再补充。

本征半导体与掺杂半导体

载流子浓度

掺杂半导体载流子运动

PN结载流子运动

MOS篇