MOSFET-TFT器件slivaco仿真常用语句汇总

其实就是把用户手册搞出来常用的一部分，方便查阅。

基本步骤

1.模拟器，启动！

go atlas #windows版deckbuild常用

go victorydevice#linux版deckbuild常用

2.划分网格

网格中往右往下是正方向。

x.mesh location = 0 spacing = 1 #x轴方向坐标0的位置，网格间距为1

y.mesh location = -1 spacing = 0.05 #y轴方向坐标-1的位置，网格间距为0.05

基本规则：沟道区域与空间电荷区网格较为密集。

3.材料定义

region num=1 x.min=0 x.max=50 y.min= -1 y.max=0 material=air #定义了空间序号1的区间范围和材料

注意：定义材料时重复定义相同区域会以最后一次为准，之前的会被覆盖且不可以有没定义的区域。

4.电极定义

定义了电极范围和序号，此处num和材料定义num可以不等同

electrode num=1 x.min=5 x.max=15 y.min=-0.1 y.max=-0.1 name=gate

或者用这个语句，此处直接用region=8指代材料定义中区域8

electrode name=gate region=8

5.掺杂

doping reg=2 gauss conc=3.e18 n.type x.right=5 char=0.3 # 在区域2中，右侧X=5处高斯分布掺杂，浓度3e18，n型

6.设置材料参数

可以不写相关语句，即为默认材料

material region=2 mun=20 mup=1.5 nc300=2.5e20 \

nv300=2.5e20 eg300=1.9

7.设置缺陷参数

可以不写相关语句，即为默认缺陷， 这里指定陷阱密度、能级、宽度等

defects nta=1.e21 ntd=1.e21 wta=0.033 wtd=0.049 \
nga=1.5e15 ngd=1.5e15 ega=0.62 egd=0.78 wga=0.15 wgd=0.15 \
sigtae=1.e-17 sigtah=1.e-15 sigtde=1.e-15 sigtdh=1.e-17 \
siggae=2.e-16 siggah=2.e-15 siggde=2.e-15 siggdh=2.e-16

8. 设置接触模型

可以不写相关语句，即为默认，这里指定接触类型和温度模型

contact num=1 alum
models temp=300

通常，你只需要设定金属的功函数，软件会处理后续的计算。

CONTACT NAME=gate WORKFUNCTION=4.8 #定义肖特基接触的电极功函数的方式之一

CONTACT NAME=gate N.POLYSILICON #定义肖特基接触的电极功函数的方式之一

CONTACT NAME=fgate FLOATING #定义电极fgate为floating，适用于电极而非导体触点

CONTACT NAME=drain CURRENT #定义名字drain为floating，指定名为drain的电极的电流边界条件。关于后续SOLVE
语句，漏极电流边界条件将默认为零电流，因此接触点floating，适用于导体触点而非电极。

CONTACT NAME=drain RESIST=1e20 #对于半导体触点定义时，还可以假设接了一个大电阻

CONTACT NAME=base1 COMMON=base #将电极base1和base同步给电位，SOLVE VBASE=0.1，因为common电压是主要参考点，所以链接后只对common施加。

CONTACT NAME=MYDRAIN COMMON=DRAIN FACTOR=4.6 #对MYDRAIN的偏见将永远存在等于漏极上的偏置加4.6。如果已经指定了可选的MULT参数，MYDRAIN上的偏置将等于漏极上的偏置乘以4.6。

9. 设置求解方法和初始化求解

method itlimit=30 # 指定迭代次数限制和求解初始化
solve init #设置求解方法和初始化求解

10. 保存初始状态

save outf=test.str #为了保证每次算都从初始化求解开始

11. 设置求解方法

v. 必须从以下名字中选取: GATE, GG, DRAIN, DD, SOURCE, BULK, SUBSTRATE, EMITTER, EE, COLLECTOR, CC, BASE, BB, ANODE, CATHODDE, FGATE, CGATE, NGATE, PGATE, WELL, NWELL, PWELL, CHANNEL, and GROUND. 每次slove都会定义一个电极，会一直保留这个状态除非重新被定义。

IDVD求解

method gummel newton #选方法
solve vgate=-1.0 #定Vg

method newton #选方法

求不同Vd下的Id

log outfile=IDVD.log

solve vdrain=0.1
solve vdrain=0.2
solve vdrain=0.5
solve vdrain=1 vfinal=5 vstep=1 name=drain

IDVG求解

log off
load inf=test.str master
solve prev #回到该模型的上一步求解状态，即初始化求解
log outf=IDVG.log
solve vgate=0 vstep=0.2 vfinal=15.0 name=gate #尽量从0开始解防止不收敛

12. 退出

quit